美國加州桑尼維爾, April 21, 2020 (GLOBE NEWSWIRE) -- 三安積體電路有限公司（Sanan IC），擁有先進化合物半導體製造平臺的世界級晶圓工廠，今日宣佈，在其不斷擴展的業務中，將對全世界開放其先進的寬禁帶電力電子代工服務將，其中包括650V和1200V SiC器件和650V HEMT功率器件的加工服務。
“三安集成母公司三安光電有限公司，擁有非常豐富的化合物半導體生產經驗，這促使我們為電力電子產品建立屬於自己的寬禁帶半導體生產線，”三安集成的CEO, Raymond Cai 說道，“並且，我們意識到電力電子產業需要尖端的加工服務。三安集成有能力為高速發展的電力電子市場提供一個綜合性平臺，給予無與倫比的服務和安全品質保障，協助客戶進行樣品生產或低門檻量產。”
根據Yole分析報告，GaN電力電子市場在2017-2023年間，預計將以55%的年複合增長率速度發展。另一份Yole市場技術報告指出，SiC電力電子市場2018-2024的年複合增長率將達到29%。
隨著GaN和SiC的解決方案分別在智慧手機和大資料領域大放異彩，這兩項技術已經被電力電子器件行業認可，用於系統設計重塑。三安集成致力於推動GaN和SiC技術革新，提供綜合性的電力電子代工服務，擁有豐富的大規模生產經驗，承諾以高安全品質標準。在以下應用領域，三安集成是您成功道路上的理想合作夥伴：
- EV & HEV
- UPS with PFC
- 充電器和電池續航
- 光伏逆變器和能源存儲
- 發動機驅動
在2019年6月，三安集成發佈了G06P111, 一項複合JEDEC標準的650V強化HEMT GaN制程技術。此後，三安集成研發了數款用於GaN代工的MPW。使用三安集成的制程設計元件和e-加工服務，設計師可以體驗類比GaN器件的設計和表現，在大規模量產前確保設計無誤。
今年，公司計畫提供更廣泛的基礎產品MPW流片，包括200V和100V的低壓E-HEMT加工服務和高電流M3加工。更多的基礎研發計畫，包括GaN積體電路和高可靠性D-MISFET，將在下半年開展。
三安集成的生產管理系統已經獲得了數個國際證書的認證，包括 IATF 16949:2016, ISO 9001:2015和ISO 27001:2013，意味著公司嚴格的資訊安全規程和智慧財產權保護的客戶承諾。為了使客戶的產品更快進入市場，三安集成同時提供前期產品開發的一站式服務，包括背銅工藝、背磨工藝、背面金屬和切割工藝、電路測試和開放式引線框架的標準塑膠封裝。
參考文獻
1Power GaN 2019: Epitaxy, Devices, Applications & Technology Trends report, Yole Développement – Nov 2019
2Power SiC 2019: Materials, Devices and Applications report, Yole Développement – July 2019
關於三安
三安積體電路有限公司是中國首家6寸化合物半導體晶圓工廠，為全球微電子和光學市場服務。公司成立於2014年，總部位於中國福建省廈門市，是三安光電有限公司旗下子公司。公司擁有先進的III-V族化合物半導體工廠，研發和提供GaAs, GaN, SiC和InP代工服務。獲得ISO9001國際品質標準，ISO14001環境管理標準和IATF16949:2016 QMS標準認證。三安集成以其先進的工藝技術平臺，助力射頻微波，濾波器，電力電子和光通訊國際市場。三安集成致力於引領化合物半導體革新。更多資訊，請訪問：www.sanan-ic.com
與三安集成取得聯繫：
LinkedIn: www.linkedin.com/company/sanan-integrated-circuit-co-ltd/
媒體關係聯絡人：
Olivia Metcalfe
Townsend Team
olivia@townsendteam.com