加利福尼亞州森尼維爾市, Jan. 06, 2020 (GLOBE NEWSWIRE) -- 三安積體電路有限公司（SANAN-IC）今天宣佈，三安積體電路已被在新興5G市場應用砷化鎵（GaAs）單片微波積體電路（MMIC）英國設計供應商Plextek RFI公司認可。三安積體電路有限公司是一家擁有先進化合物半導體技術平臺的純晶圓廠，而Plextek RFI則專門從事射頻微波和毫米波的電路設計。
雙方的有效合作源于Plextek RFI的單片表貼式封裝四通道5G毫米波功率放大器的參考設計。該參考設計用於28GHz頻譜，採用了三安積體電路的P15EP1 0.15微米6寸砷化鎵增強型/耗盡型pHEMT工藝技術。近日在英國貝德福德郡舉行的自動化射頻和微波測量協會（ARMMS）會議上，Plextek RFI展示並介紹了該項參考設計。
三安積體電路首席執行官Raymond Cai表示：“隨著5G基礎設施市場從支持sub-6GHz擴展到毫米波頻譜，不同電信設備的射頻前端設計活動也越來越多。我們很高興能與Plextek RFI公司一路攜手，成為合作夥伴。同時，還能利用射頻工程的專業技術說明我們的全球客戶拓展砷化鎵積體電路設計和開發的多方資源。我們新推出的P15EP1 0.15微米6寸增強型/耗盡型pHEMT砷化鎵工藝預計將被廣泛運用于高性能毫米波應用，尤其是5G空間”
Plextek RFI首席執行官Liam Devlin評論道：“5G基礎設施對於各式各樣射頻前端架構需求無一例外對高性能砷化鎵積體電路設計有需求。我們很高興為我們的客戶提供創新的解決方案和設計選擇，正如所呈現的，我們基於三安集成砷化鎵工藝技術提供多選擇、多通道的功率放大器參考設計。通過借助三安積體電路有限公司其他的砷化鎵工藝和路線圖，實現高性能、高度集成和高品質的射頻設計，從而實現我們在設計方案的成功。”
公司的P15EP1工藝是一項高性能的6寸砷化鎵pHEMT工藝技術，高度集成了85GHz Ft和155GHz Fmax 0.15微米增強型（E-mode）電晶體，可用於功率放大器（PA）和低雜訊放大器（LNA）設計，具有增益出眾、低雜訊指數和高頻寬的優勢，同時還能結合0.5微米增強型/耗盡型器件實現單晶片邏輯。該技術平臺有12層光罩，最多可做到3個金屬層，背面研磨厚度能做到75微米。P15EP1是砷化鎵技術P15產品系列的一部分，該系列砷化鎵技術還具有其他的選項，如耗盡型電晶體、用於開關或限幅器的PiN二極體，以及明年將推出的低於0.15微米節點，支援更高頻段的產品。
更多有關三安積體電路III-V半導體技術製造平臺的資訊，我們將於1月7至10日在拉斯維加斯舉行的消費電子展上為您呈現。
關於三安積體電路
三安積體電路有限公司(三安積體電路)是中國第一家6寸化合物半導體晶圓代工廠，服務於全球各地的微電子及光電市場。該公司成立於2014年，位於中國福建省廈門市，是三安光電股份有限公司(SSE代碼：600703)下屬的子公司。該公司擁有最尖端的III-V族化合物半導體製造設施，開發砷化鎵、氮化鎵外延片和襯底。三安積體電路憑藉自身先進的工藝技術平臺，助力全球的射頻、毫米波、濾波器、電力電子、光學元器件及子系統業界發展壯大。
三安，讓未來從芯開啟，讓萬物智慧互聯。www.sanan-ic.com Email: sales@sanan-ic.com.
關於Plextek RFI
Plextek RFI是一家專注於射頻、微波/毫米波模組設計和開發的英國設計公司。公司已設計超過百款從基帶到100GHz被廣泛應用於基礎設施的測試一起設備和大體積消費類無線設備的客制化晶片，同時公司擁有對於裸die和SMT封裝組建的自有測試工具。公司的微波、毫米波模組開發包含傳統的基於SMT減薄工藝、HDI、晶片打線、薄膜厚膜以及LTCC工藝。
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