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12 nov. 2024 00h00 HE | Source: ROHM Semiconductor

ROHM’s New SiC Schottky Barrier Diodes for High-Voltage xEV Systems: Featuring a Unique Package Design for Improved Insulation Resistance

Santa Clara, CA and Kyoto, Japan, Nov. 12, 2024 (GLOBE NEWSWIRE) -- ROHM Semiconductor today announced new surface mount SiC Schottky barrier diodes (SBDs) that improve insulation resistance by...