カリフォルニア州サニーベール発, Dec. 19, 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- 高度な化合物半導体テクノロジープラットフォームを持つウェハーファウンドリ専業企業である三安インテグレーテッドサーキット (SANAN INTEGRATED CIRCUIT CO., LTD.:「三安IC」) は本日、6インチ炭化珪素(SiC) 技術の商用リリースに向けた全面的プロセス検証を完了し、同社のファウンドリサービスポートフォリオに追加することを発表した。世界市場にサービスを提供する高度な材料製造能力を有している同社は、現在パワーエレクトロニクスの回路設計を 目的とした最も完成度の高いワイドバンドギャップ (WBG) 半導体として浮上しているSiC技術を供給している。またガリウム砒素 (GaAs)、窒化ガリウム (GaN)、および燐化インジウム (InP) 用のIII-V化合物製造の他に、そのサプライチェーンを確保した6インチSiCウェハープロセスサービスの能力も有している。
三安ICの最高経営責任者であるレイモンド･ツァイ (Raymond Cai) は次のように述べている。「SiCを含む当社のウェハーファウンドリサービスを拡張し、世界中のワイドバンドギャップ半導体市場で商業的に利用できるようになりました。高効率、高スイッチング周波数、高温度特性を併せ持つSiCがシリコン（Si）ソリューションの代用になり、高成長するパワーエレクトロニクス市場向けに大きなビジネスチャンスがあると考えています。自動車、ビッグデータ、再生可能なクリーンエネルギーおよび電力ユーティリティ業界の飛躍的な成長は、当社が世界市場にSiCファウンドリサービスを提供する機会を作り出しました。最先端の製造プラント、強固なサプライチェーン、世界的な業界ベテラン勢で構成されるチームを備える三安ICは理想的なファウンドリパートナーです」。
三安ICのSiCプロセス技術は、650V、1200Vおよびそれ以上のショットキーバリアダイオード (SBD) のデバイスストラクチャを提供し、まもなく900V、1200V、およびそれ以上のSiC MOSFETプロセスも後に続く。高性能なSiC SBDおよびSiC MOSFETは650V以上の電力変換用途のための代替品として浮上している。高効率、高電力密度、高スイッチング周波数、高温、高抗破壊強度、より小型で軽量のシステム設計という点で、シリコンと比較してSiCの特性が優れていることを考慮し、いくつかの用途でこの技術が採用され始めている。
太陽光発電所、産業用モータードライブ、エンタープライズサーバ用のPFC (力率補正)、携帯電話基地局のための電源などの複数の市場に向けて、SiCの採用が加速しており、電気自動車 (EV) およびハイブリッド車 (HEV) ではオンボード充電器 (OBC)、パワートレインインバータおよびDC/DCコンバータにSiCが広く使用されている。ヨール企業グループ (Yole Group of Companies) の一部門であるヨール･デベロップメント (Yole Développement: Yole) によると、SiCパワーデバイス半導体の市場は、累計年間成長率 (CAGR) が2017年から2023年までに31%成長し1、2023年までには15億ドルを超える価値となると予想されている。三安ICは品質、数量、増強および信頼性に対する顧客の要求に応える体制が整っている。
出典 1 ：Power SiC 2018: Materials, Devices, and Applications Report, Yole Développement (Yole), July 2018
三安ICについて
三安･インテグレーテッド･サーキット (SANAN INTEGRATED CIRCUIT CO., LTD.:「三安IC」) は、中国初の6インチコンパウンド半導体ウェハーファウンドリであり、世界中のマイクロエレクトロニクスとフォトニクスの市場を対象としている。同社は2014年に設立され、中国の福建省廈門市に拠点を置き、三安･オプトエレクトロニクス (Sanan Optoelectronics Co., Ltd. SSE: 600703) の子会社として運営されている。同社は最先端のIII-V族半導体製造設備を用いて、GaAs、GaN、SiC、InPファウンドリサービスの開発、供給を行っている。また高度なプロセス技術プラットフォームを駆使して、RF、ミリ波、フィルタ、パワーエレクトロニクスおよび光通信市場のグローバルコミュニティのエンパワーメントを行っている。三安ICは化合物半導体の革新を目指す企業である。
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