美國加利福尼亞州森尼韋爾, June 24, 2019 (GLOBE NEWSWIRE) -- 三安積體電路有限公司（簡稱”“三安集成”），一個擁有化合物半導體晶圓鑄造先進技術平臺代工廠今日宣佈，運用於最新高壓AC/DC和DC/AC電力電子領域的150mn矽基氮化鎵（GaN）代工服務正式面向全球市場。三安集成的新G06P111是650V增強模式高電子遷移率電晶體(E-HEMT)GaN過程增加了公司的電力電子晶片鑄造組合的寬禁帶化合物半導體(銀行),包括100毫米和150毫米碳化矽(SiC)高壓肖特基勢壘二極體(作為)。憑藉其多年在LED領域氮化鎵量產製造經驗的母公司三安光電股份有限公司, 三安集成能夠補充與內部金屬的鑄造服務增長能力的高電壓、低洩漏矽基氮化鎵外延晶片高一致性。
三安集成總經理助理陳文欣表示，“公司發佈650V GaN E-HEMT工藝是對於先進化合物半導體製造業全球市場代工服務的承諾。”我們認為矽基氮化鎵是是今天高電壓、大功率電力電子行業以碳化矽為主的寬禁帶半導體的主要補充技術。器件供應商和系統設計師在傳統遷移到寬禁帶半導體矽增強性能、效率和可靠性高功率模擬設計。三安集成也將成功服務於這個高速增長、大規模的電力電子市場”。
公司的G06P11 矽基氮化鎵工藝，通過JEDEC的工藝可靠性標準，能夠提供650V E-mode FETS的器件結構，並且支援漏源通路狀態從50mΩ到400mΩ電阻範圍。工程上能夠低洩漏、低柵極電荷、高電流密度和低動態特定阻力（Rsp），這能夠使超高速開關緊湊設計在高溫狀態中操作。在今年晚些時候公司將推出200V的氮化鎵E-HEMT工藝以及第二代碳化矽肖特基勢壘二極體與銷肖特基二極體結構相結合的工藝。
矽基氮化鎵工藝是適合最新消費類和伺服器應用的工藝,如電源適配器,USB-PD,可擕式充電器,和用於交流/直流不斷電供應系統(UPS)功率因數校正(PFC)。這種工藝同時牽動其他市場運用如混合動力/電動汽車（EV/HEV）、雷射雷達和無線充電。 根據Yole公司，一家領先技術的市場研究公司出具的報告，氮化鎵功率器件未來市場價值預計以93%的符合增長率在2023年可達到4.23億美元。三安集成致力於服務這一新興技術在整個電力電子行業的多個細分市場運用。
資料來源：
相關案例方案來自於Yole Développement (Yole)2018年11月的報告 《功率氮化鎵2019：外延、器件、應用和技術發展趨勢》
關於三安集成
三安積體電路有限公司（三安積體電路）是中國第一家6寸化合物半導體晶圓代工廠，服務於全球各地的微電子及光電市場。該公司成立於2014年，位於中國福建省廈門市，是三安光電股份有限公司（SSE代碼：600703）下屬的子公司。該公司擁有最尖端的III-V族化合物半導體製造設施，開發砷化鎵、氮化鎵外延片和襯底。三安積體電路憑藉自身先進的工藝技術平臺，助力全球的射頻、毫米波、濾波器、電力電子、光學元器件及子系統業界發展壯大www.sanan-ic.com/en.
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