ディファイアンス、DRAL: 2XロングDRAM ETFをローンチ


マイアミ発, June 26, 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- テーマ型およびレバレッジ型上場投資信託のリーダーであるディファイアンスETFs (Defiance ETFs) は本日、ディファイアンス・デイリー・ターゲット2XロングDRAM ETF (Defiance Daily Target 2X Long DRAM ETF)(Cboe: DRAL)のローンチを発表した。 既に取引が開始されているDRALは、アクティブトレーダーに対し、人工知能インフラ整備の中核をなす半導体メモリテーマへのエクスポージャーを、単一銘柄で増幅して提供する。

DRALはアクティブ運用型ETFであり、1取引日における原資産ETFであるDRAMの株価の日次変動率の200% (2倍) に相当する、手数料および経費控除前の日次投資成果を目指す。 主にスワップ契約および上場オプション契約を通じてそのエクスポージャーを追求し、毎日リバランスを行う。

本ファンドは、DRAMの1日あたりの価格パフォーマンスの200% (2倍)(手数料および経費控除前) を実現するよう設計されている。 DRALは既に取引可能であり、アクティブトレーダーは、人工知能のインフラ整備の中核をなす半導体メモリテーマで、単一銘柄の増幅ポジションに投資できる。 ディファイアンスは、テーマ型、インカム型、レバレッジ型ETFを専門としており、アクティブトレーダーがタクティカルかつ確信度の高いポジションを構築するためのツールを継続的に拡充している。

ファンドの詳細、目論見書、保有、および直近の月末時点の運用実績については、defianceetfs.com/dral を参照するか、833.333.9383まで電話で問い合わせされたい。

本ファンドへの投資は、DRAMへの直接投資と同等ではない。 本ファンドはすべての投資家に適すものではない。 本ファンドは、日次レバレッジ (2倍) による投資成果を追求することの潜在的な結果を理解し、レバレッジ利用に伴うリスクを認識し、かつポートフォリオを頻繁にモニタリングする意思のある、豊かな知識を備えた投資家のみが利用することを想定して設計されている。 本ファンドは、ポートフォリオを積極的にモニタリングおよび運用する意思のない投資家による利用を意図しておらず、そのような投資家には適していない。 本ファンドは日次レバレッジ投資目標を追求しており、レバレッジを利用しないオルタナティブよりもリスクが高い。 本ファンドはDRAM (以下「原資産ETF」) のパフォーマンスを増幅するよう設定されており、厳密に短期利用を目的として設計されている。 1日を超える期間においては、本ファンドのパフォーマンスは日次リターンの複利計算による結果となるため、同期間における原資産ETFのリターンの200%とは大きく異なる可能性が高い。 投資家は、1取引日以内に元本を全額失う可能性がある。

ディファイアンスETFsについて

2018年に設立されたディファイアンスは、テーマ型、インカム型、レバレッジ型ETFを専門とする主要なETF発行会社である。 同社のレバレッジ型個別銘柄ETFは、投資家が高成長企業への投資ポジションを増幅できるようにし、信用取引口座を開設することなく、精確なレバレッジエクスポージャーを提供する。

報道関係者向け問い合わせ先:ブレンダ・ヘンシェル (Brenda Hentschel) | bhentschel@gregoryagency.com | 201.705.3758

重要な開示事項

ディファイアンスETFs (Defiance ETFs LLC) は、本ETFのスポンサーである。 本ファンドの投資アドバイザーは、タイダル・インベストメンツ (Tidal Investments, LLC) (以下「タイダル」または「アドバイザー」) である。

投資する前に、本ファンドの投資目的、リスク、手数料、および費用について慎重に検討する必要がある。 目論見書および要約目論見書には、投資会社に関するこの情報およびその他の重要な情報が記載されている。 投資する前に、目論見書および/または要約目論見書を熟読されたい。 本情報およびその他の情報が記載された目論見書または要約目論見書については、defianceetfs.comを参照されたい。 印刷版は、電話番号833.333.9383に連絡して請求できる。

投資にはリスクが伴う。 元本割れの可能性がある。ETFである本ファンドは、NAVに対してプレミアムまたはディスカウントで取引される場合がある。 株は (NAVではなく) 市場価格で売買され、ファンドから個別に償還されることはない。 本ファンドの戦略が適切に導入される保証はなく、投資家はその投資の一部または全部を失う可能性がある。

DRAM価格下落のリスク。本ファンドのレバレッジ投資戦略の一環として、本ファンドはDRAM (以下「原資産ETF」) の株価に基づくスワップ契約およびオプション契約を締結する。 この戦略により、本ファンドは原資産ETFの株を実際に保有していないにもかかわらず、あたかも保有しているかのような特定のリスクにさらされる。 本ファンドは、原資産ETFの株価変動に対して間接的にマイナス2倍のエクスポージャーを有するため、原資産ETFの株価が下落するリスクにさらされる。 原資産ETFの株価が下落した場合、本ファンドの価値は下落する可能性が高く、その結果、本ファンドで多額の損失が発生する可能性がある。また、本ファンドは、以下のリスクにもさらされる可能性がある。

原資産ETFへの間接投資リスク。ラウンドヒル・メモリーETF (Roundhill Memory ETF)、その投資顧問であるラウンドヒル・ファイナンシャル (Roundhill Financial Inc.)、およびそのスポンサーは、本信託、本ファンド、本投資顧問、またはそれらの関連会社との提携関係になく、本募集には一切関与していない。 ラウンドヒル・メモリーETFには、本ファンドの価値に影響を及ぼしうる行動を講じるにあたり、本ファンドまたはその株主を考慮する義務はない。 本ファンドの投資者は、ラウンドヒル・メモリーETFの株を保有することに伴う議決権やその他の所有者特権を有しない。 本ファンドは、ラウンドヒル・メモリーETFまたはラウンドヒル・ファイナンシャルによって、スポンサー提供、推奨、販売、または宣伝されているものではない。

原資産ETFのリスク。本ファンドはラウンドヒル・メモリーETFへのエクスポージャーを追求するため、原資産ETFが自らの投資目的を達成できないリスクや、原資産指数に連動しないリスクを含めた、当該ETFへの投資に伴うすべてのリスクに間接的にさらされる。 また、本ファンドは、本ファンド自体の手数料および費用に加えて、原資産ETFの手数料および費用のうち、本ファンドの持分に応じた割合を間接的に負担する。 原資産ETF自体がデリバティブを利用したり、集中投資型のポートフォリオを保有したりする場合があり、これによりボラティリティが高まる可能性がある。

メモリ業界のリスク。原資産ETFは、高帯域幅メモリ (HBM)、ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)、NANDフラッシュおよびソリッドステートストレージ技術を含む、半導体メモリ業界に従事する企業に集中している。 メモリ市場は極めて周期性が強く、急激な価格変動、供給過剰および供給不足のサイクル、高い資本集約度、技術の陳腐化、ならびに最終市場の需要変動の影響を受けやすい。 メモリ価格や需要の低迷は、原資産ETFに重大な悪影響を及ぼす可能性があり、ひいては本ファンドの運用成績にも悪影響を及ぼす可能性がある。

半導体業界のリスク。半導体企業は、激しい競争、製品の急速な陳腐化、多額の研究開発および設備投資の必要性、需要の周期性、ならびにグローバルサプライチェーンの混乱によって大きな影響を受ける。 輸出規制、関税、その他の規制上の動向も、その事業活動を制約する可能性がある。 これらの要因により、原資産ETFが保有する有価証券の価格変動が激しくなり、本ファンドの運用成績に悪影響を及ぼす可能性がある。

テクノロジーセクターのリスク。テクノロジーセクターの企業は、市場のボラティリティの高まり、製品サイクルの短縮、激しい競争、および知的財産権への重度な依存に影響される可能性がある。 金利上昇局面では、テクノロジー関連企業のバリュエーションにさらなる圧力がかかる可能性がある。 これらの要因は、原資産ETFおよび本ファンドに悪影響を及ぼす可能性がある。

人工知能需要リスク。メモリ製品への需要は、人工知能インフラへの支出とますます密接に結びついている。 AI関連の設備投資の鈍化、主流の技術アーキテクチャの変化、またはAIの成長見通しに対する再評価は、メモリ製品への需要を減少させ、原資産ETFおよび本ファンドの運用成績に悪影響を及ぼす可能性がある。

集中型投資リスク。本ファンドのエクスポージャーは原資産ETFに集中しており、間接的にはメモリおよび半導体業界に集中している。 本ファンドは、より幅広い発行体やセクターに投資するファンドと比較して、これらの業界に影響を与える不利な動向に対してより敏感に反応する可能性がある。

複利効果および市場ボラティリティのリスク。1取引日を超える期間における本ファンドのパフォーマンスは、当該期間における各日のリターンの複利計算の結果となる。これは、手数料および経費控除前の原資産ETFのパフォーマンスの200%とは異なる可能性が高い。 ボラティリティが高まっている期間においては、複利効果により、より長期的に原資産ETFの株価が上昇した場合であっても、本ファンドの価値が下落する可能性がある。

日次相関/トラッキングリスク。本ファンドが、その原資産ETFとの高い相関性を達成する保証はない。 本ファンドのパフォーマンスは、市場の混乱、ボラティリティ、またはデリバティブの使用可能性の制限により、その日次レバレッジ投資目標から乖離する可能性がある。

レバレッジリスク。本ファンドは、金融商品を通じて2倍のロングエクスポージャーを追求するため、損失が拡大するリスクにさらされる可能性がある。 レバレッジは本ファンドのボラティリティを高め、原資産ETFの株価の比較的小さな変動でも、本ファンドで多額の損失をもたらす可能性がある。

デリバティブリスク。本ファンドのデリバティブへの投資は、証券への直接投資に伴うリスクよりも大きなリスクを伴う可能性がある。 これらのリスクには、ボラティリティの増大、原資産ETFとの不完全な相関関係、流動性の制約、バリュエーションの変化、および当初の投資額を超える損失が発生する可能性などが含まれる。

相手方リスク。本ファンドは、デリバティブを利用するため相手方リスクにさらされている。 取引相手が契約上の義務を履行しない場合、本ファンドは遅延や損失を被る可能性があり、これが本ファンドのパフォーマンスに悪影響を及ぼす可能性がある。

オプション契約のリスク。本ファンドがオプションを利用することにより、ボラティリティ、時間的価値の減少、およびオプションポジションが満期時に無価値となる可能性といった追加的なリスクにさらされ、その結果、本ファンドに多額の損失が生じる可能性がある。

スワップ契約。スワップ取引の利用は極めて専門性の高いアクティビティであり、通常のポートフォリオ有価証券取引とは異なる投資手法やリスクを伴う。

リバランスリスク。本ファンドがそのポートフォリオのリバランスを適切に、または適時に実施できない場合、そのエクスポージャーは投資目的と整合しない可能性がある。 そのことにより、本ファンドのリスクエクスポージャーが増加し、意図されている日次レバレッジ結果からそのパフォーマンスが乖離する原因となり得る。

日中投資リスク。本ファンドは、ある取引日の終値から翌取引日の終値までに、投資成果を得ることを目指す。 日中に株を購入する投資者は、前営業日の終値以降の原資産ETFの株価変動に応じて、本ファンドが掲げる2倍の目標よりも多い、あるいは少ない原資産ETFへのエクスポージャーを得ることになる可能性があり、その目標とは異なるリターンが生じる可能性がある。

流動性リスク。本ファンドが保有する一部の有価証券や金融商品は、特に市場のストレスやボラティリティの高い時期には、売却が困難となる可能性がある。 流動性の低下により、本ファンドがエクスポージャーを調整したり、投資目的を達成したりすることが困難になる可能性がある。

高いポートフォリオ回転率のリスク。毎日のリバランスにより、ポートフォリオの回転率が高くなると予想される。 ポートフォリオの回転率が高いと取引コストが増加する可能性があり、これによりファンドのリターンが低下し、株主に対する課税対象分配金が増加する可能性がある。

非分散化リスク。本ファンドは非分散型であるため、資産のより大きな割合を、原資産ETFなどの単一の銘柄に投資する可能性がある。 その結果、本ファンドは、分散投資を行うファンドに比べ、原資産ETFに影響を及ぼす不利な事態に対し、より敏感に反応する可能性がある。

固定利付証券のリスク。本ファンドが固定利付証券に投資する場合、本ファンドでの投資価値は金利の変動に伴って変動する。

新規ファンドのリスク。本ファンドは、最近設立された運用投資会社であり、運用実績は限られている。 その結果、投資家が本ファンドを評価できる実績は限られている。

市場および経済リスク。広範な経済情勢、金利、インフレ、地政学的出来事、および市場全体のボラティリティは、原資産ETFおよび本ファンドに悪影響を及ぼす可能性がある。

取引にはブローカー手数料がかかる場合がある。

販売元:フォアサイド・ファンド・サービス (Foreside Fund Services, LLC)。

本発表に付随する写真はこちらから入手可能:https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/bde0d3da-a3cf-49e7-800d-b3a174f51ecb


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